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2MBI150TA-060-50 FUJI Modulo IGBT doble 600V 150A Semiconductor de alta velocidad para aplicaciones industriales
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2MBI150TA-060-50 FUJI Modulo IGBT doble 600V 150A Semiconductor de alta velocidad para aplicaciones industriales
| Lugar de origen | JAPÓN |
| Nombre de la marca | Fuji |
| Certificación | COO & COC |
| Número de modelo | 2MBI150TA-060-50 |
Detalles del producto
Peso de envío:
0,32 kilos
Tamaño de embalaje:
94 × 34 × 30 milímetros
Condición:
Nuevo y original
Garantía:
1 año
Términos comerciales::
EXW, DAP, MANDO, CIF
Entrega urgente:
DHL, FedEx, UPS
Resaltar:
FUJI doble módulo IGBT 600V 150A
,Semiconductor de alta velocidad para uso industrial
,Módulo IGBT con garantía
Términos de Pago y Envío
Cantidad de orden mínima
1
Precio
$25
Detalles de empaquetado
Nuevo y original
Tiempo de entrega
3-5 días
Condiciones de pago
T/T, AliPay, PayPal
Capacidad de la fuente
99+
Descripción de producto
2MBI150TA-060-50 FUJI Modulo IGBT doble 600V 150A Semiconductor de alta velocidad para aplicaciones industriales
ElFUJI 2MBI150TA-060-50 y el resto de los equipos.es un sistema de alto rendimientomódulo IGBT dualDiseñado para ser fiableconversión de potenciaEste nuevo sistema de energía renovable es el más avanzado en el sector de la electricidad.Semiconductores de potencia de 600 V a 150 Aofrece un rendimiento de conmutación excepcional y una eficiencia térmica para entornos industriales de electrónica de potencia exigentes.
En el papeltecnología de conmutación de alta velocidad, el 2MBI150TA-060-50 proporciona capacidades rápidas de encendido y apagado con pérdidas mínimas de conmutación, lo que permite una conversión de energía eficiente en aplicaciones de alta frecuencia.diseño de baja inductanciaMinimiza los picos de voltaje y las interferencias electromagnéticas, garantizando un funcionamiento estable y protegiendo el equipo conectado de daños transitorios.
El módulo IGBT incorporaConstrucción de sustrato cerámico robustocontecnología de unión directa del cobreLa conductividad térmica y la estabilidad mecánica de los materiales son muy elevadas.diseño de paquetes aisladosEl sistema de aislamiento eléctrico entre la matriz de semiconductores y la base de montaje permite un funcionamiento seguro en aplicaciones de alto voltaje.características de VCE (sat) bajasreducir al mínimo las pérdidas de conducción durante el funcionamiento normal, mejorando la eficiencia general del sistema y reduciendo la generación de calor.
Descripción general del producto: Fuji 2MBI150TA-060-50
| Parámetro | Especificación |
|---|---|
| Marca del producto | FUJI eléctrico |
| Número de modelo | 2MBI150TA-060-50: el número de unidad |
| Tipo de producto | Modulo IGBT doble |
| Tipo de paquete | 2 en un solo paquete |
| Voltado del colector-emitente (VCEO) | Las demás: |
| Corriente del colector (IC) | Las demás: |
Detalles del producto
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Preguntas frecuentes
P1: 2MBI150TA-060-50 todavía disponible?
R: Sí, estado del ciclo de vida activo.
R: Sí, estado del ciclo de vida activo.
P2: ¿Frecuencia máxima de conmutación?
R: Hasta 20 kHz.
R: Hasta 20 kHz.
P3: ¿Se requiere un disipador de calor?
R: Sí, el disipador de calor externo es obligatorio.
R: Sí, el disipador de calor externo es obligatorio.
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