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2MBI150TA-060-50 FUJI Dual IGBT Module 600V 150A Semiconduttore ad alta velocità per applicazioni industriali
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2MBI150TA-060-50 FUJI Dual IGBT Module 600V 150A Semiconduttore ad alta velocità per applicazioni industriali
| Luogo di origine | GIAPPONE |
| Marca | Fuji |
| Certificazione | COO & COC |
| Numero di modello | 2MBI150TA-060-50 |
Dettagli del prodotto
Peso di spedizione:
0,32 chilogrammi
Dimensioni dell'imballaggio:
94×34×30 millimetri
Condizione:
Nuovissimo e originale
Garanzia:
1 anno
Termini commerciali::
EXW, DAP, FOB, CIF
Consegna espressa:
DHL, Fedex, UPS
Evidenziare:
FUJI Dual IGBT Module 600V 150A
,Semiconduttore ad alta velocità per l'industria
,Modulo IGBT con garanzia
Termini di pagamento e di spedizione
Quantità di ordine minimo
1
Prezzo
$25
Imballaggi particolari
Nuovissimo e originale
Tempi di consegna
3-5 giorni
Termini di pagamento
T/T,AliPay,PayPal
Capacità di alimentazione
99+
Descrizione di prodotto
2MBI150TA-060-50 Semiconduttore di potenza ad alta velocità con modulo IGBT doppio FUJI 600V 150A per applicazioni industriali
ILFUJI2MBI150TA-060-50è un prodotto ad alte prestazionidoppio modulo IGBTprogettato per essere affidabileconversione di potenzaapplicazioni in azionamenti di motori industriali, gruppi di continuità, apparecchiature di saldatura e sistemi di energia rinnovabile. Questo è avanzatoSemiconduttore di potenza 600 V 150 Aoffre prestazioni di commutazione ed efficienza termica eccezionali per ambienti esigenti di elettronica di potenza industriale.
Dotatotecnologia di commutazione ad alta velocità, il 2MBI150TA-060-50 fornisce funzionalità di accensione e spegnimento rapide con perdite di commutazione minime, consentendo un'efficiente conversione di potenza in applicazioni ad alta frequenza. Quello del modulodesign a bassa induttanzariduce al minimo i picchi di tensione e le interferenze elettromagnetiche, garantendo un funzionamento stabile e proteggendo le apparecchiature collegate da danni transitori.
Il modulo IGBT incorporarobusta struttura del substrato ceramicocontecnologia di collegamento diretto del ramegarantendo un'eccellente conduttività termica e stabilità meccanica. Suodesign del pacchetto isolatofornisce isolamento elettrico tra il dischetto del semiconduttore e la base di montaggio, consentendo un funzionamento sicuro in applicazioni ad alta tensione. ILcaratteristiche VCE(sat) basseridurre al minimo le perdite di conduzione durante il normale funzionamento, migliorando l'efficienza complessiva del sistema e riducendo la generazione di calore.
Panoramica del prodotto: Fuji 2MBI150TA-060-50
| Parametro | Specifica |
|---|---|
| Marca | FUJI Elettrico |
| Numero di modello | 2MBI150TA-060-50 |
| Tipo | Doppio modulo IGBT |
| Tipo di pacchetto | 2 in un unico pacchetto |
| Tensione collettore-emettitore (VCEO) | 600 V |
| Corrente del collettore (IC) | 150A |
Immagini dei dettagli del prodotto
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Domande frequenti
D1: 2MBI150TA-060-50 ancora disponibile?
R: Sì, stato del ciclo di vita attivo.
R: Sì, stato del ciclo di vita attivo.
Q2: Frequenza di commutazione massima?
R: Fino a 20kHz.
R: Fino a 20kHz.
Q3: è necessario un dissipatore di calore?
R: Sì, dissipatore di calore esterno obbligatorio.
R: Sì, dissipatore di calore esterno obbligatorio.
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