General Electric IS200EMIOH1AFB EX2100 Khối khuếch đại xung cao áp

Bảng mạch khuếch đại xung điện áp cao IS200EMIOH1AFB EX2100 của General Electric

Điểm nổi bật về tính năng cốt lõi
- Khuếch đại xung điện áp cao: Mảng MOSFET tốc độ cao tích hợp và nguồn cung cấp điện cách ly chuyên dụng trên bo mạch xuất ra các xung kích hoạt cổng chính xác, dốc cho ESEL và các bo mạch EGPA tiếp theo, với điện áp đỉnh lên đến 2.5 kV và cạnh tăng nhỏ hơn 200 ns. Điều này đảm bảo cầu SCR được kích hoạt ở góc tối ưu, cải thiện tốc độ phản hồi kích thích.
- Trung tâm I/O đa kênh: Tích hợp 16 đầu vào kỹ thuật số, 8 đầu ra rơ le, 4 đầu vào tương tự và 2 kênh lấy mẫu PT/CT, quản lý tập trung các tín hiệu từ các khối đầu cuối như ECTB, EACF, EXTB và EPCT, đạt được "một thẻ điều khiển mọi thứ."
- Hoán đổi nóng và Tự chẩn đoán: Hỗ trợ thay thế trực tuyến. Kết hợp với phần mềm Mark VI Toolbox, nó cung cấp các chỉ số thời gian thực của các thông số chính như nhiệt độ thiết bị, điện áp bus và số xung, cho phép phát hiện sớm các bất thường và tự động tạo nhật ký sự kiện SOE, giảm thiểu rủi ro thời gian ngừng hoạt động ngoài kế hoạch. - Thiết kế dự phòng và chịu lỗi: Nguồn cung cấp điện logic 24V dự phòng kép, bộ hẹn giờ giám sát độc lập, lớp che chắn kim loại và lớp phủ phù hợp đảm bảo IS200EMIOH1AFB hoạt động đáng tin cậy trong nhiều dải nhiệt độ và độ ẩm, từ 0–70°C và 5–95% RH, với MTBF vượt quá 200.000 giờ.

Ứng dụng tiêu biểu
- Hệ thống kích thích cho máy phát đồng bộ làm mát bằng hydro hoặc làm mát bằng không khí trong các nhà máy nhiệt điện lớn và nhà máy điện chu trình hỗn hợp
- Nâng cấp kích thích nhanh chóng cho các tổ máy lưu trữ bơm
- Nâng cấp kích thích không chổi than cho động cơ đồng bộ trong các nhà máy điện công nghiệp

Cài đặt và Tương thích
Bo mạch này sử dụng thiết kế Eurocard một khe với đầu nối DIN 96 chân ở mặt trước. Nó hoàn toàn tương thích với mặt sau Mark VI gốc, loại bỏ nhu cầu sửa đổi hệ thống dây trong tủ. Nó cũng tương thích ngược với IS200EMIOH1A, cho phép thay thế và nâng cấp trực tiếp, rút ngắn chu kỳ nâng cấp.